DLA SMD-5962-85149 REV A-1988
硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路

MICROCIRCUIT, NMOS, BUS CONTROLLER, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988
发布
1988年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图描述了符合 dth 1 的 B 类微电路的器件要求。 dof M IL-STD-883,“MIL-STD-883 与兼容的非 JAN 设备结合使用的规定”。

DLA SMD-5962-85149 REV A-1988相似标准


推荐

清华大学发:《Nature》!

MoS2 作为二维 (2D) 过渡金属二硫化物 (TMDC) 的代表,带隙 (单层为 2.0 eV) 比 Si (1.12 eV) 更大。此外,天然的 n 掺杂行为、更大的电子有效质量和更低的介电常数导致对 SCE 的出色抵抗。因此, MoS2 有望成为替代 Si 作为未来晶体管沟道材料的理想候选者。...

纳米片晶体管是摩尔定律的下一步,也许是最后一步!

虽然形状和材料已发生了变化,但金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET(微处理器中使用的那种晶体管)自1959年发明以来包含同样的基本结构:栅叠层、沟道区、源电极和漏电极。就器件的原始形状而言,源极、漏极和沟道基本上是掺杂其他元素的原子的硅片区,以生成拥有大量移动负电荷的区域(n型),或生成拥有大量移动正电荷的区域(p型)。作为当今计算机芯片基础的CMOS技术同时需要这两种类型的晶体管。...

卜伟海:后摩尔时代集成电路产业技术的发展趋势

1.2.3  CFETCFET也称三维堆叠CMOS(Stacked CMOS),可将N金属氧化物半导体N-type Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS)和P型金属氧化物半导体(P-type Metal-Oxide-Semiconductor, PMOS)集成于同一投影位置的上、下两层,图10为CFET结构示意图。...

北大彭练矛-张志勇课题组Science:5纳米碳纳米管CMOS器件,晶体管性能推至理论极限

目前主流互补金属氧化物半导体(CMOS)技术即将发展到10纳米的技术节点,后续发展将受到来自物理规律和制造成本的限制,很难继续提升,“摩尔定律”可能面临终结。20多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,以期替代基CMOS技术。但是到目前为止,并没有机构能够实现10纳米的新型CMOS器件,而且也没有新型器件能够在性能上真正超越最好的基CMOS器件。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号