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MoS2 作为二维 (2D) 过渡金属二硫化物 (TMDC) 的代表,其带隙 (单层为 2.0 eV) 比 Si (1.12 eV) 更大。此外,其天然的 n 掺杂行为、更大的电子有效质量和更低的介电常数导致对 SCE 的出色抵抗。因此, MoS2 有望成为替代 Si 作为未来晶体管沟道材料的理想候选者。...
虽然形状和材料已发生了变化,但金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET(微处理器中使用的那种晶体管)自1959年发明以来包含同样的基本结构:栅叠层、沟道区、源电极和漏电极。就器件的原始形状而言,源极、漏极和沟道基本上是掺杂其他元素的原子的硅片区,以生成拥有大量移动负电荷的区域(n型),或生成拥有大量移动正电荷的区域(p型)。作为当今计算机芯片基础的CMOS技术同时需要这两种类型的晶体管。...
1.2.3 CFETCFET也称三维堆叠CMOS(Stacked CMOS),可将N型金属氧化物半导体(N-type Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS)和P型金属氧化物半导体(P-type Metal-Oxide-Semiconductor, PMOS)集成于同一投影位置的上、下两层,图10为CFET结构示意图。...
目前主流互补金属氧化物半导体(CMOS)技术即将发展到10纳米的技术节点,后续发展将受到来自物理规律和制造成本的限制,很难继续提升,“摩尔定律”可能面临终结。20多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,以期替代硅基CMOS技术。但是到目前为止,并没有机构能够实现10纳米的新型CMOS器件,而且也没有新型器件能够在性能上真正超越最好的硅基CMOS器件。...
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