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美国能源部橡树岭国家实验室研究人员发现,当复合氧化物单晶材料被局限在微观纳米尺度时,其如同一个多组分的电路,超越了目前硅基芯片微处理器的能力,将支撑新型的多功能计算体系结构。美国科研人员利用特殊的隐形原理,在两个光子器件间放置一个特殊的纳米硅基屏障,可“欺骗”两个光子器件相互无视,其有助开发出较硅基芯片更小、更快、更节能的光子芯片。...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
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