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构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
后摩尔时代的集成电路发展需要多层次协同创新突破:在材料方面,碳纳米管、二维材料、氧化物半导体等新材料的引入,为极小尺寸下晶体管性能的提升带来希望;在器件方面,环栅晶体管(GAA)、垂直互补场效应晶体管(CFET)、叉片晶体管(Forksheet FET)等新器件结构的研发,为下一代晶体管的探索指引方向;在集成方面,晶圆级集成、芯粒技术(chiplet)、单片三维集成(M3D)等新集成方式,为延续摩尔定律...
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