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构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
美国MIT于2019年开发出迄今为止用碳纳米管制造的最大计算机芯片,一颗由1.4万余个碳纳米管晶体管(Carbon Nanotube Field-Effect Transistors,CNFET)组成的16位微处理器,证明可以完全由CNFET打造超越硅的微处理器。高质量的二维材料是潜在的下一代替代材料,但距离传统半导体产业至少还有十年的时间。...
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能,产业需求很大。GaN功率半导体中,硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产,但是,GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)高性能设备的研究刚刚起步。美国也在积极研究,世界开发竞争激烈。日联合团队制作了高质量2英寸GaN芯片和MOSFET。三菱化学面向功率半导体改良了GaN芯片量产技术“氨热热法”。...
同年,Wang 等人通过 Z 型腔设计,在半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模 Yb:QX 激光器中实现了脉宽 360fs 的 LG 0±1 模式涡旋的直接发射,如图 18 所示。利用带有缺陷点反射镜的 Yb:KYW 振荡器,该系统进一步升级并产生了 298fs 的 VB。作者预计该研究方向未来的发展目标是直接产生 100fs 以内的涡旋光。...
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