DLA SMD-5962-87556 REV D-2005
硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OCTAL TRANSPARENT LATCH WITH THREE-STATE OUTPUTS, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 

标准号
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005
发布
2005年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN).

DLA SMD-5962-87556 REV D-2005相似标准


推荐

MIT用14000个碳纳米管晶体管造出16位微处理器

数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源极和漏极)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...

《Nature》重大里程碑:史上最大碳纳米管芯片!

数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源极和漏极)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...

科学家首次研制成功电子半加器

此外,半加器还具有两个附加的功能:多值和灵活,因而电子半加器单元将为超高密度和低能耗的超大规模集成提供基础,这也是未来小型移动IT系统所面临的最关键问题之一。   制造一个传统的CMOS(互补金属氧化物半导体)半加器,至少需要20个场效应晶体管;而电子半加器采用了新的电子晶体管结构,内含两个对称的侧栅极,因此科学家仅用3个电子晶体管和2个场效应晶体管就制造出了一个半加器。...

“你好,世界”:碳纳米管芯片离商用还有多远?

为了实现这一突破,作者需要开发一种可行的纳米管晶体管技术,可以同时包含两类晶体管:p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)。在数字电子技术中,计算被分成了一系列基本(逻辑)运算,由名为逻辑电路的元件执行。目前,电子行业所设计的逻辑电路都是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,其中包含了PMOS和NMOS晶体管。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号