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此外,半加器还具有两个附加的功能:多值和灵活,因而单电子半加器单元将为超高密度和低能耗的超大规模集成提供基础,这也是未来小型移动IT系统所面临的最关键问题之一。 制造一个传统的CMOS(互补金属氧化物半导体)半加器,至少需要20个场效应晶体管;而单电子半加器采用了新的单电子晶体管结构,内含两个对称的侧栅极,因此科学家仅用3个单电子晶体管和2个场效应晶体管就制造出了一个半加器。...
氧化物半导体具有工艺温度低、透明度好、薄膜可大面积生长、电子迁移率高、能带隙宽等优点,这些优点使其适用于内存驱动电路以及基于高性能薄膜晶体管的逻辑电路。随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型计算架构越来越感兴趣,开发高性能氧化物半导体晶体管以实现兼容CMOS 后端工艺的单片三维集成电路已迫在眉睫。 ...
考虑到多芯片同步的应用需求,芯片内部集成了时钟同步电路,可以有效实现多芯片的同步工作。为了满足高速率的要求,芯片输出采用LVDS接口。该芯片集成约1600个GaAs HBT晶体管,芯片面积为2.3mmx2.3mm。电路采用-5.2V/+3.3V双电源供电,总功耗为3.2W。单比特ADC芯片照片及测试数据频谱分析如图5所示。...
沃尔特·胡说,小直径纳米线依靠本身优势,可在生物感测方面发挥重要作用,有望开发出最终达到一个单分子的灵敏感测仪器,而且信噪比更好。 除了生物感测器,新型高性能晶体管还在互补金属氧化物半导体缩微技术(CMOS,一种集成电路材料微型化)上有极大潜力,目前该领域的发展已经接近极限,变得越来越难。沃尔特·胡认为,硅材料在纳米电子设备领域仍具有很多潜能。...
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