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因此，一直以来这些器件技术间的集成都只发生在芯片到芯片级别，严重限制了这些系统的带宽和与延迟有关的性能；与单芯片全集成微系统相比，显著增加了尺寸、重量、功耗和封装成本。DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺，实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的紧密结合。...
5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 ...
03曹庆科技先锋：曹庆，32岁，IBM研究中心研究员获选理由：用高效的碳纳米管取代硅晶体管，帮助IBM实现十余年的追求人物介绍：早在2001年，IBM研究人员发明了制造碳纳米管晶体管阵列的方法。这种新产品承载电流的能力是性能优异的硅晶体管的两倍有余，并在2002年首次公开展示。2006年，IBM制造出第一个带有单根碳纳米管的集成电路。...
/金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。...
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