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自1971年英特尔4004微处理器发布以来,金属氧化物半导体(MOS)晶体管的体积缩小了大约1/1 000,而单块芯片上的晶体管数量增加了约1 500万倍。衡量这种集成密度上的极大进步的指标主要是尺寸,即金属半节距和栅极长度。在很长一段时间里,它们的数字都差不多。金属半节距是芯片上从一个金属互连开始到下一个金属互连开始的距离的一半。...
俄罗斯也声称,他们计划开发超导计算机组件,用于制造替代互补金属氧化物半导体的新一代计算机,从而突破摩尔定律。他们认为,这些新的可控设备最终可能改变超导技术的现状,使其成为未来高性能计算机的通用平台。为了让美国在这场竞赛中保持领先,美国情报高级研究计划局开始资助超导计算机研究,将其作为降低超级计算机耗电量问题的长期解决方案,因为“超导技术似乎最适用于大规模计算。”...
FinFET和普通CMOS的区别 CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。...
因此,一直以来这些器件技术间的集成都只发生在芯片到芯片级别,严重限制了这些系统的带宽和与延迟有关的性能;与单芯片全集成微系统相比,显著增加了尺寸、重量、功耗和封装成本。DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的紧密结合。...
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