DLA SMD-5962-89661-1989
硅单片,可级联64 X 9先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, CASCADABLE 64 X 9 FIFO, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-89661-1989 发布历史

This drawing describes device requirements for Class B microcircuits i n accordance with l.&f MIL-STD-883, "Provisions f o r the use of MIL-STD-883 i n conjunction with compliant non-JAN devices".

DLA SMD-5962-89661-1989由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 1989-08-22。

DLA SMD-5962-89661-1989 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路，在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。

DLA SMD-5962-89661-1989的历代版本如下：

• 1989年08月22日 DLA SMD-5962-89661-1989 硅单片,可级联64 X 9先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DLA SMD-5962-89661-1989 前三页，或者稍后再访问。

注意： 点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号

DLA SMD-5962-89661-1989

发布日期

1989年08月22日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

L56

国际标准分类号

31.200

发布单位

US-DLA

适用范围

This drawing describes device requirements for Class B microcircuits i n accordance with l.&f MIL-STD-883, "Provisions f o r the use of MIL-STD-883 i n conjunction with compliant non-JAN devices".