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所有的这些技术都能够让我们把一块数字互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片与外部的模拟世界直接连接起来。如果新的传感器和驱动器能够充分利用硅晶加工中极为常见的低成本大批量生产工艺,这将会产生巨大的经济影响。然而,从经济角度而言,这个摩尔定律再次发挥作用的新阶段——我将其称为摩尔定律3.0,而半导体业界则称之为“扩展摩尔定律”——却可能没什么意义。...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
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