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闩锁状态下器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、过电应力和器件损坏通信接口集成电路的闩锁失效(5)热载流子效应(Hot Carrier Injection栅极电压Vg小于漏极电压Vd时,栅极绝缘膜下的沟道被夹断,漏极附近电场增高;源极流经此区的电子成为热电子,碰撞增多---漏极雪崩热载流子;注入栅极二氧化硅膜中,使其产生陷阱和界面能级,阈值电压增加,氧化层电荷增加或波动不稳,器件性能退化(6)与时间相关的介质击穿...
自1971年英特尔4004微处理器发布以来,金属氧化物半导体(MOS)晶体管的体积缩小了大约1/1 000,而单块芯片上的晶体管数量增加了约1 500万倍。衡量这种集成密度上的极大进步的指标主要是尺寸,即金属半节距和栅极长度。在很长一段时间里,它们的数字都差不多。金属半节距是芯片上从一个金属互连开始到下一个金属互连开始的距离的一半。...
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