找不到引用DLA SMD-5962-91694 REV E-2005 硅单块 电压控制增益放大器,直线式微型电路 的标准
本文设计了一种用于耳机驱动的 CMOS 功率放大器,该放大器采用 0.35μm 双层多晶硅工艺实现,驱动 32Ω的电阻负载。该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能。仿真结果表明,该电路的开环直流增益为 70dB,相位裕度达到 86.6°,单位增益带宽为 100MHz。...
锁相放大器模块参数表型号QD-TSE-LA-01工作电压DC-24V/1A工作频率0~100KHz过滤带宽10KHz(可定制)对外接口SMA输出电压范围3.0V~5.5V输出电压范围3.0V~5.5V通信接口RS232/USB(可定制)积分时间128ms参考时钟内部时钟参考相位分辨率 1.0 degree输入增益-105/-106(可定制)满量程输入电流200nAADC精度16bit输出动态范围90dB13...
DAHI计划实现集成的微系统的设备和材料包括:(1)基于硅CMOS的模拟和数字电路高度集成;(2)基于氮化镓(GaN)的高功率、高电压和低噪声放大器(3)基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速/高动态范围、低噪声电路(4)基于锑基化合物半导体的高速、低功耗电子器件(5)用于直接带隙光子源和探测器的化合物半导体光电器件,以及硅基架构的调制器和波导等...
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高 RF 应用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪声的影响。SiGe 技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe 技术在线性度方面的影响还在研究中。 在蜂窝手机和其他数字的、便携式、无线通信设备中,有三个参数越来越重要。...
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