DLA SMD-5962-87667 REV C-1993
硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路

MICROCIRCUIT, HIGH PERFORMANCE CMOS BUS BUFFERS, MONOLITHIC SILICON

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标准号

DLA SMD-5962-87667 REV C-1993

发布

1993年

发布单位

美国国防后勤局

 

 

适用范围

修订说明栏：添加“根据修订日期进行更改”栏：添加“93-03-19”。修订级别块：添加“C”。工作表修订状态：对于工作表 1,5，添加“C”。表 I ，从：传播延迟输出禁用 (q) 更改为 YI。NOR 5962-R099-93"。表 5：至：传播延迟输出启用（v 至 YI。至 YI”，用于 Synbols tpHZ. tpLZ。同时添加测试条件语句“传播延迟输出禁用 (oz) 修订级别块；添加“C”。67268 4. CAGECOOE 11 。将 WCUMENT 修订为：II 5962-R099-93 5.DocuENTmi.b.授权批准签名和标题的活动 I Monica L.Poelking 政府变更 6.WCuEñi 微电路的标题。他执行 CMOS 总线缓冲器，IOIIOLITHIC SILICOW。日期（YYEI EM )) I 93/03/19 67268 5w-87667 7. RNISIOII 字母（当前） B（新） C 8. ECP mi。 - DESC-ECC 首席 MI CROELECTRON ICs 分公司。 。 12. 活动 ACCa9LISHING REVISICM ESC-ECC 修订完成（签名） 日期 (YYMMûû) Jeffery Tunstall 93/03/19 由 IHS 提供 未经 IHS 许可，不得复制或联网 不得转售 --`,,`,`-`- `,,`,,`,`,`---

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