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它们不与氧气反应,因此不会产生氧化物。许多制造商将陶瓷用作传感器基板。 四、传感器制造 微传感器技术使用了常规硅平面IC技术中遵循的基本制造步骤以及一些其他步骤。目前,互补金属氧化物半导体(CMOS)是微传感器中最chang用的技术。微传感器是使用商业CMOS IC工艺和随后的批量微加工技术设计和制造的,确切具体的步骤因传感器而异。 ...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
目前,集成电路的主流技术——互补型金属氧化物半导体(complementary mental oxide semiconductor,CMOS)晶体管的特征尺寸为65-22纳米。据《国际半导体技术发展路线图》(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)预测,到2024年,晶体管的最小线宽将达到7纳米左右。...
,绝缘材料,封装用金属导线、金属凸块材料、封装用抛光液和其他封装材料等2、集成电路制造设备沉浸式光刻机,极紫外线光刻机(EUV),金属刻蚀设备,电介质刻蚀设备,三维集成电路刻蚀设备,MEMS 刻蚀设备,深硅刻蚀设备,原子层沉积设备(ALD),化学气相沉积设备(CVD),电化学沉积设备(ECD),物理气相沉积设备(PVD),离子注入机,表面处理设备,测长电子显微镜,晶圆表面检测设备,缺陷检测设备等3、...
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