硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路 不是强制性中国国家标准,您可以免费下载预览页
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台积电在5 nm节点已开始在P型场效应晶体管(P-type Field-Effect Transistor, PFET)采用高迁移率沟道材料SiGe,相比硅沟道提升18%的驱动电流,3 nm相比5 nm将获得70%的集成度提升、15%的速度提升、30%的功耗下降。实现新技术代集成度的提升,除了微缩器件尺寸,还需要在标准单元电路中通过减少器件中Fin的根数来提高逻辑电路集成度。...
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