DLA SMD-5962-89942 REV A-1993
硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 2K X 9 PARALLEL-SERIES FIFO, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 发布历史

This drawing describes device requirements for class B microcircuits i n accordance with 1.2.1 of NIL-STD-883, "Provisions for We use of NIL-STO-883 i n conjunction w i t h corpliant non-JAN devices".

DLA SMD-5962-89942 REV A-1993由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 1993-01-13。

DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路，在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。

DLA SMD-5962-89942 REV A-1993的历代版本如下：

• 1993年01月13日 DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路

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标准号

DLA SMD-5962-89942 REV A-1993

发布日期

1993年01月13日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

L56

国际标准分类号

31.200

发布单位

US-DLA

适用范围

This drawing describes device requirements for class B microcircuits i n accordance with 1.2.1 of NIL-STD-883, "Provisions for We use of NIL-STO-883 i n conjunction w i t h corpliant non-JAN devices".