DLA SMD-5962-89943 REV A-1994
硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 PARALLEL SERIAL FIFO, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 发布历史

describes device requirerents f o r class B microcircuits in accordance with 1.2.1 of MIL-STD-883, nlProvisions for the use of MIL-STD-883 in conjunction with c a p l I a n t non-JAN devicesnn.

DLA SMD-5962-89943 REV A-1994由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 1994-06-22。

DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路，在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。

DLA SMD-5962-89943 REV A-1994的历代版本如下：

• 1994年06月22日 DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路

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标准号

DLA SMD-5962-89943 REV A-1994

发布日期

1994年06月22日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

L56

国际标准分类号

31.200

发布单位

US-DLA

适用范围

describes device requirerents f o r class B microcircuits in accordance with 1.2.1 of MIL-STD-883, nlProvisions for the use of MIL-STD-883 in conjunction with c a p l I a n t non-JAN devicesnn.