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文章报道了一种电驱动碳纳米管片装三维光电集成电路,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的低温无掺杂技术,利用碳纳米管(CNT)制造片装电驱动小型OEIC的高能纳米电子和光电子系统,如光伏接收器、电驱动发射器和片装电子电路,为实现单片三维光电集成电路提供无缝集成平台,实现多样化的功能,如异构AND门。...
研究人员们仍在努力减少残留的金属纳米管,提高半导体纳米管的密度,这种方法前景非常乐观。尽管取得了上述进步,但在涉及碳纳米管计算时我们还是遇到了疑问。其中一个经常被提及的问题是可否创建互补逻辑。今天的处理器使用CMOS半导体技术,其中文名称为“互补金属氧化物半导体”,“互补”是指它采用两种不同类型的晶体管:携带电子的n型晶体管和使用空穴(没有电子的正电荷)的p型晶体管。...
以InGaAs n型场效应晶体管(nFET)器件的3D单片集成为例,在SiGe-OI(绝缘体上)短通道p型FET (pFET)上生长和制备,以实现在供电电压VDD = 0.25 V下工作的最先进的CMOS逆变器。(图5a-c)[17, 18]这些演示有力地证明了基于硅基平台的,用于单层堆叠的多层光子学和电子电路的三维集成III-V和III-N器件的可能性。图5....
修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片,测试片,样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore''s law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint...
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