DLA SMD-5962-85525 REV B-1990
硅单块 8KX8静态随机存取存储器 互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路 取代DLA SMD-5962-38294 REV H,DLA SMD-5962-38294 REV G,DLA SMD-5962-38294 REV F,DLA SMD-5962-38294 REV E,DLA SMD-5962-38294 REV D,DL
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, 8K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON [Superseded By: DLA SMD-5962-38294 REV H, DLA SMD-5962-38294 REV G, DLA SMD-5962-38294 REV F, DLA SMD-5962-38294 REV E, DLA SMD-5962-38294 REV D, DLA
DLA SMD-5962-85525 REV B-1990 发布历史
Superseded drawing with 5962-38294.
DLA SMD-5962-85525 REV B-1990由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 1990。
DLA SMD-5962-85525 REV B-1990 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路,在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。
DLA SMD-5962-85525 REV B-1990的历代版本如下:
- 1990年 DLA SMD-5962-85525 REV B-1990 硅单块 8KX8静态随机存取存储器 互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路 取代DLA SMD-5962-38294 REV H,DLA SMD-5962-38294 REV G,DLA SMD-5962-38294 REV F,DLA SMD-5962-38294 REV E,DLA SMD-5962-38294 REV D,DL