DLA SMD-5962-90752 REV A-2006
硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OCTAL BUS TRANSCEIVER WITH INVERTING THREE-STATE OUTPUTS, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006
发布
2006年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图记录了两个产品保证等级,包括高可靠性(设备类别 Q 和 M)和空间应用(设备类别 V)。外壳轮廓和引线表面可供选择,并反映在零件或识别号 (PIN) 中。如果可用,辐射硬度保证 (RHA) 级别的选择会反映在 PIN 中。

DLA SMD-5962-90752 REV A-2006相似标准


推荐

MIT用14000个碳纳米管晶体管造出16位微处理器

数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源和漏)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...

北京大学彭练矛组Nature子刊:基于碳纳米管的三维单片光电集成系统

文章报道了一种电驱动碳纳米管片装三维光电集成电路,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的低温无掺杂技术,利用碳纳米管(CNT)制造片装电驱动小型OEIC的高能纳米电子和光电子系统,如光伏接收器、电驱动发射器和片装电子电路,为实现单片三维光电集成电路提供无缝集成平台,实现多样化的功能,如异构AND门。...

《Nature》重大里程碑:史上最大碳纳米管芯片!

数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源和漏)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...

科学家首次研制成功电子半加器

此外,半加器还具有两个附加的功能:多值和灵活,因而电子半加器单元将为超高密度和低能耗的超大规模集成提供基础,这也是未来小型移动IT系统所面临的最关键问题之一。   制造一个传统的CMOS(互补金属氧化物半导体)半加器,至少需要20个场效应晶体管;而电子半加器采用了新的电子晶体管结构,内含两个对称的侧栅极,因此科学家仅用3个电子晶体管和2个场效应晶体管就制造出了一个半加器。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号