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Mater., 2016, DOI: 10.1002/adfm.201600564)封底内页:改造丁基橡胶用于可伸缩电子可拉伸的电子装置的发展一直依赖于单一的材料聚二甲基硅氧烷。虽然聚二甲基硅氧烷有许多优越特性的,但是当面对的材料(如有机半导体和易氧化金属)对氧气和水蒸气较敏感时,其高透气性不利于伸缩装置的使用。这些材料受到气体诱导分解,导致装置提前失效。...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
有源单元则由晶体管来控制阻变元件的读写与擦除,虽可良好隔离相邻单元的干扰,但其设计更复杂,且器件可微缩性较差。 4)MRAM(磁存储器) MRAM(Magnetic RAM):磁性随机存储器,它靠磁场极化而非电荷来存储数据。MRAM 的存储单元由自由磁层,隧道栅层,固定磁层组成。...
修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片,测试片,样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore''s law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint...
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