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研究人员们仍在努力减少残留的金属纳米管,提高半导体纳米管的密度,这种方法前景非常乐观。尽管取得了上述进步,但在涉及碳纳米管计算时我们还是遇到了疑问。其中一个经常被提及的问题是可否创建互补逻辑。今天的处理器使用CMOS半导体技术,其中文名称为“互补金属氧化物半导体”,“互补”是指它采用两种不同类型的晶体管:携带电子的n型晶体管和使用空穴(没有电子的正电荷)的p型晶体管。...
该研究将光栅天线的128×128元件焦平面开关阵列(FPSA)和微机电系统(MEMS)驱动的光开关单片集成在10×11 mm2硅光子芯片上,其中128×96子阵列采用引线键合。通过单基地配置的调频连续波(FMCW)测距实现了距离分辨率为1.7 cm的3D成像。FPSA可以在互补金属氧化物半导体(CMOS)代工厂大规模生产,这将使得3D传感器可广泛应用于自动驾驶汽车、无人机、机器人和智能手机等领域。...
DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的紧密结合。DAHI的最终目标是建立一个可制造、可获得代工技术,可将多种器件和复杂硅架构通过单片异质集成的方式集成到共同的衬底平台上。这样的集成将为美军提供拥有更高性能的微系统。DARPA在异质集成方面的努力始于“硅基化合物半导体材料”(COSMOS)项目。...
cm-2,研制出氧化镓金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,击穿电压≥1000 V,导通电阻≤2 mΩ·cm2;制备出高质量氮化硼外延薄膜,研制出波长≤230 nm 的氮化硼深紫外光电探测器,器件开关比≥5×103。...
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