硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路 不是强制性中国国家标准,您可以免费下载预览页
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随着对数据驱动型应用,如新一代机器学习加速器和物联网等需求的持续增长,传统的冯诺依曼架构面临着严重的“存储墙”挑战,硅基晶体管工艺制程的缩小进一步加剧了这种情况。为了突破该瓶颈,集存储单元和计算单元为一体的单片三维集成或者存内计算,成为一种潜在的解决方案。但用于CMOS后端集成的硅基技术受到低热负载(小于400摄氏度)的限制,二维材料、氧化物半导体等这些超硅器件可以很好地兼容CMOS后端工艺。 ...
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