DLA SMD-5962-90905 REV B-2007
硅单块 操作放大器,电流反作用,高速直线式微型电路

MICROCIRCUIT, LINEAR, HIGH SPEED, CURRENT FEEDBACK, OPERATIONAL AMPLIFIER, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA SMD-5962-90905 REV B-2007 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
DLA SMD-5962-90905 REV B-2007
发布
2007年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图记录了两个产品保证等级,包括高可靠性(设备类别 Q 和 M)和空间应用(设备类别 V)。外壳轮廓和引线表面可供选择,并反映在零件或识别号 (PIN) 中。如果可用,辐射硬度保证 (RHA) 级别的选择会反映在 PIN 中。

DLA SMD-5962-90905 REV B-2007相似标准


推荐

【防务资讯】“DARPA2016年展示日”10大前沿主题——频谱篇

DAHI计划实现集成的微系统的设备和材料包括:(1)基于CMOS的模拟和数字电路高度集成;(2)基于氮化镓(GaN)的高功率、高电压和低噪声放大器(3)基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速/高动态范围、低噪声电路(4)基于锑基化合物半导体的高速、低功耗电子器件(5)用于直接带隙光子源和探测器的化合物半导体光电器件,以及基架构的调制器和波导等...

中国的太赫兹技术研究有望领先全球

早期的一些研究中已将场效应晶体管应用于太赫兹检波中,而近期的一些研究中已逐步发展到检波阵列并且集成在THz CMOS 芯片中。g) 超导转变边缘传感器(TES):超导转变边缘传感器利用电流加热超导薄膜到超导转变温度,是一种超导非相干检波技术. 当检测太赫兹辐射时, 超导薄膜可以吸收太赫兹光子, 使温度上升, 进而使电阻明显升高....

军委装备发展部:2018年军用电子基础产品预研公开90项指南需求信息

高密度多通道基光电集成技术-31513010410-1-信息系统2018预研研究方向:面向Tbps多通道数据传输需求,基于先进CMOS集成技术及光加工工艺技术,开展高密度多通道基光电集成技术研究,突破多通道电光收发器、驱动器、跨阻放大器设计等关键技术,研制高速基光电收发器、驱动器、放大器芯片和高密度多通道光电集成样片 牵引性指标:(1)单片电光驱动器不少于8通道,16Gbps数据率时单通道功耗不高于...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号