DLA SMD-5962-99617 REV B-2002
微型电路,线型,辐射加固,全桥式N通道FET驱动器,单块硅

MICROCIRCUIT, LINEAR, RADIATION HARDENED, FULL BRIDGE N-CHANNEL FET DRIVER, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002 发布历史

This drawing documents three product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M), space application (device class V) and for appropriate satellite and similar applications (device class T). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN).

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 2002-08-30。

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002 在中国标准分类中归属于: L55 微电路综合，在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002的历代版本如下：

• 2002年08月30日 DLA SMD-5962-99617 REV B-2002 微型电路,线型,辐射加固,全桥式N通道FET驱动器,单块硅

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DLA SMD-5962-99617 REV B-2002 前三页，或者稍后再访问。

注意： 点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002

发布日期

2002年08月30日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

L55

国际标准分类号

31.200

发布单位

US-DLA

适用范围

This drawing documents three product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M), space application (device class V) and for appropriate satellite and similar applications (device class T). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN).