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具体来说,RV16X-NANO是使用标准EDA工具设计的,并且只利用了与商用硅CMOS制造设施兼容的材料和工艺。总之,这些贡献构建起强大的CNT CMOS技术,并代表了超越硅的电子发展的一个重要里程碑。RV16X-NANO的架构和设计作者开发了一种可行的纳米晶体管技术,提供两种晶体管:p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)。...
他们将这个处理器命名为RV16X-NANO,这款16位的微处理器基于RISC-V指令集,在16位数据和地址上运行标准的32位指令,包含14000多个互补金属氧化物半导体 CNFET,并使用行业标准的工艺流程进行设计和制造。...
DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的紧密结合。DAHI的最终目标是建立一个可制造、可获得代工技术,可将多种器件和复杂硅架构通过单片异质集成的方式集成到共同的衬底平台上。这样的集成将为美军提供拥有更高性能的微系统。DARPA在异质集成方面的努力始于“硅基化合物半导体材料”(COSMOS)项目。...
其中一个经常被提及的问题是可否创建互补逻辑。今天的处理器使用CMOS半导体技术,其中文名称为“互补金属氧化物半导体”,“互补”是指它采用两种不同类型的晶体管:携带电子的n型晶体管和使用空穴(没有电子的正电荷)的p型晶体管。使用两种类型有许多优点,但多年来研究人员们主要只研究p型碳纳米管晶体管。这是因为首个CNFET是p型晶体管,所用的材料处理起来更容易。...
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