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氧化物半导体具有工艺温度低、透明度好、薄膜可大面积生长、电子迁移率高、能带隙宽等优点,这些优点使其适用于内存驱动电路以及基于高性能薄膜晶体管的逻辑电路。随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型计算架构越来越感兴趣,开发高性能氧化物半导体晶体管以实现兼容CMOS 后端工艺的单片三维集成电路已迫在眉睫。 ...
其中一个经常被提及的问题是可否创建互补逻辑。今天的处理器使用CMOS半导体技术,其中文名称为“互补金属氧化物半导体”,“互补”是指它采用两种不同类型的晶体管:携带电子的n型晶体管和使用空穴(没有电子的正电荷)的p型晶体管。使用两种类型有许多优点,但多年来研究人员们主要只研究p型碳纳米管晶体管。这是因为首个CNFET是p型晶体管,所用的材料处理起来更容易。...
文章报道了一种电驱动碳纳米管片装三维光电集成电路,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的低温无掺杂技术,利用碳纳米管(CNT)制造片装电驱动小型OEIC的高能纳米电子和光电子系统,如光伏接收器、电驱动发射器和片装电子电路,为实现单片三维光电集成电路提供无缝集成平台,实现多样化的功能,如异构AND门。...
DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的紧密结合。DAHI的最终目标是建立一个可制造、可获得代工技术,可将多种器件和复杂硅架构通过单片异质集成的方式集成到共同的衬底平台上。这样的集成将为美军提供拥有更高性能的微系统。DARPA在异质集成方面的努力始于“硅基化合物半导体材料”(COSMOS)项目。...
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