DLA SMD-5962-95810 REV A-1998
高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,硅单片电路线型微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, HIGH SPEED CMOS, NONINVERTING OCTAL BUFFER/LINE DRIVER WITH THREE-STATE OUTPUTS, MONOLITHIC SILICON

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标准号

DLA SMD-5962-95810 REV A-1998

发布

1998年

发布单位

美国国防后勤局

 

 

适用范围

本附录规定了根据合格制造商名单 (QML) 计划提供的微电路芯片的最低要求。 QML 微电路芯片满足 MIL-PRF-38535 的要求，并且制造商批准了用于单片微电路、多芯片模块 (MCM)、混合电路、电子模块或根据 MIL-PRF-38534 使用芯片和电线设计的设备的 QM 计划在此指定。零件或识别号 (PIN) 中反映了由军事高可靠性（设备类别 Q）和空间应用（设备类别 V）组成的两个产品保证类别。如果可用，可选择的抗辐射保证 (RHA) 级别会反映在 PIN 中。

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