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在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容(外电路参数)Cp---并联电容(外电路参数)BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路,CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer...
5.11 半导体三极管的好坏检测a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位 b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻...
PXI产品系列 任意波形发生器、数字化示波器电源测量单元(SMU)半导体测试系统外设模块 USB3 高功率产品系列 电源测量单元(SMU)HC/HVPulse Sources高速数字万用表 VXInstruments半导体测试解决方案MOSFET器件静态参数测试和动态特性测试静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数,主要包括:门极开启 电压、门极击穿电压,集电极发射极间耐压...
图6 基于铁电极化构建的MoS2 三端npn双极晶体管及其输出放大特性(a) 构筑三端子双极晶体管所使用的铁电极化图案的PFM相位图;(b) 三端式双极晶体管内集电极电流IC的电流贡献示意图;(c) 改变基极输入电压VBE时测量的三端子双极晶体管的输出特性;(d) 不同VBE输入下器件中的集电极电流IC和基极电流IB,集电极电流相对于输入基极电流可获得大约3000倍的放大,证实该类双极晶体管较高的放大增益...
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