IS 5000 OD.23-1978
半导体器件尺寸 器件外形 OD 23

Semiconductor device size device outline OD 23


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 IS 5000 OD.23-1978 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
IS 5000 OD.23-1978
发布
1979年
发布单位
IN-BIS
当前最新
IS 5000 OD.23-1978
 
 

IS 5000 OD.23-1978相似标准


推荐

南方科技大学何凤课题组Joule:氯取代共轭聚合物太阳电池给体材料

但是由于氯原子较大的原子尺寸,在很多体系中会破环聚合物骨架的平面性,导致分子排列扭曲,影响分子间的相互作用和电荷传输能力,使短路电流偏低,这也是氯取代有机半导体的研究比氟取代的要少很多的原因之一,即使氯取代在合成上相对容易且原材料价格较低。因此如何设计高效的给体材料既要保证开电压的提升又能同时获得较高的短路电流,这是氯取代材料在设计和合成上的难点和关键。...

卓立汉光产品在光通信行业中的应用——光有源器件

2、有源光器件的封装结构    前面提到,有源光器件的种类繁多且其封装形式也是多种多样,这样到目前为止,尽管各个厂家使用的封装形式、管壳外形尺寸等相差较大,但大体上可以分为同轴 型(TO-CAN、带尾纤的封装)和蝶形封装,如图2.1所示。而对于光收发一体模块,其封装形式则较为规范,主要有1×9、小封装(SFF)以及支持热 插拔的SFP、SFP+、XFP、 GBIC等封装。...

涨知识:变频器里这些器件要定期更换

其次,知道了可能需要更换的元器件,在这里简单补充一下更换元器件的基本要求。1)搞清楚需要更换器件的基本参数与外形情况。基本参数包括额定工作电流、电容器的电容量、电阻器的电阻值、GTR达林顿器件的数值(电流放大系数)、IGBT(包括IPM)器件的开关特性与饱和电压等。外形要求包括外部尺寸、端子位置与安装形式等,然后按相同要求更换所需器件。2)所有接插件拆卸时应作记录或记号,以免更换或恢复时错位。...

化学所有机薄膜晶体管及柔性电路溶液法制备研究获进展

Mater. 2011, 23, 1204-1215),选用硫杂萘二酰亚胺NDI2OD-DTYM2为n-型有机半导体材料,通过系列界面修饰和优化,采用喷墨打印等溶液法加工技术制备了高性能n型OTFT,电子迁移率最高达到1.2 cm2 V-1 s-1,这是国际上已报道同类器件的最优结果之一。  ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号