共轭聚合物光电子材料是有机光电子材料的重要组成部分,尤其是在可溶液法加工的有机光电子器件制备方面有着明显的优势。因此,发展高性能的可溶液法加工的新型有机半导体材料,是制备大面积、低成本的有机电路的迫切需要。 ...
二、【成果掠影】具有原子尺度厚度的二维(2D)层状半导体被探索为支持进一步小型化和集成电子的潜在通道材料。然而,到目前为止,还没有基于半导体的2D fet表现出可以超越最先进的硅场效应晶体管(FETs)的性能。国际器件与系统路线图(IRDS)预测,对于硅基金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FETs),栅极长度的缩放将停止在12纳米,最终电源电压将不会下降到小于0.6 V。...
WS2/GaN光电探测器示意图(g),器件的响应度和比探测率与光强度的函数关系(h)和紫外成像结果(i)。 ▲图8、场效应晶体管。Ga2O3/WSe2结场效应晶体管示意图(a),器件的传输和跨导特性(b),器件的击穿电压可达144 V(c)。垂直Ga2O3/石墨烯势垒晶体管开关器件示意图(d),器件的关态击穿电压(e),器件击穿电场与其他报道的功率器件的比较(f)。...
论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-021-03339-z场效应晶体管(FETs),是现代计算机处理器的基本组成部分。20世纪60年代以来,典型微处理器中晶体管的数量,以显著的指数增长,这一趋势被称为摩尔定律。通过使器件更小,可以将更多的晶体管,封装到一个芯片中,从而大大提高性能的同时,降低了成本。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号