第15部分:通孔安装器件的耐焊接热GB/T4937.17-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照GB/T4937.18-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量)GB/T4937.19-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度GB/T4937.201-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作...
第19部分:芯片剪切强度2019/1/119GB/T 4937.20-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响2019/1/120GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输2019/1/121GB/T 4937.21-2018半导体器件 机械和气候试验方法...
第19部分:芯片剪切强度2019/1/119GB/T 4937.20-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响2019/1/120GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输2019/1/121GB/T 4937.21-2018半导体器件 机械和气候试验方法...
PICs允许实验人员以光刻精度在不同的材料平台上设计量子器件,以满足QKD器件的严格要求。通过PICs可以实现的复杂程度已经被证明能够实现更高的密钥速率的波长复用、灵活性的多协议操作以及针对信道中的定时和偏振漂移的额外监视和补偿功能。已开发出各种材料平台来构建高性能QKD器件。有源III–V激光材料,例如磷化铟(InP),是QKD发射器的一个有前途的平台,因为可以使用增益激光介质来产生弱相干光。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号