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；（g）不同应变（高达30%）下可拉伸光电晶体管的光响应率（左）和光探测率（右）；（h）与可变形透镜阵列集成的光电晶体管阵列；（i）不同角度光照射时透镜聚焦效应的模拟结果；（j）模拟结果比较了不同角度入射光的功率；（k）透镜阵列与不同入射角度照射的光集成后测量光电流的实验装置；（l）不同入射角下有透镜阵列集成和没有透镜阵列集成的光电晶体管归一化光电流的比较。...
图5(d)红色虚线的灰度值，表明通过将非晶GaOx光电晶体管用作感测像素可以实现具有高保真度的清晰图像。这些结果为制备用于实时成像的Ga2O3成像阵列铺平了道路，并使Ga2O3 深紫外光光电探测器成为将来有前景先进光电系统的组成部分。图5. 非晶态GaOx薄膜光电晶体管的日盲UV成像。(a)使用基于非晶Ga2O3的光电晶体管作为感应像素的日盲成像系统的示意图。...
作为一种重要类型的探测器，光电晶体管多了一个栅极，可以灵活地控制沟道电流。此外，光电晶体管在在夹断状态通常有高的光-暗电流比，因此，如果能获得增强型MOSFET将会很有利，这将拓宽日盲光电晶体管的有效操作窗口。龙世兵课题组提出在通过MBE生长的硅掺杂同质β-Ga2O3薄膜上制备增强型日盲金属-氧化物-半导体场效应光电晶体管（MOSFEPT）。采用了栅槽刻蚀工艺实现增强型器件。...
在这些技术的基础上，在类似皮肤的软平台上实现了波长可辨别的光电晶体管电路阵列（>600 个光电晶体管），有望成为宽光谱图像传感器和面向人类的生物设备的通用且可扩展的方法。...
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