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在第二次世界大战爆发前夕,贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时,发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体,而且在某些方面比电子管整流器还要好。在第二次世界大战期间,不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面,也取得了不少成绩,这就为晶体管的发明奠定了基础。 第二次世界大战结束后,为了克服电子管的局限性,贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。...
methods of transmissive transparent LCD modules京东方科技集团股份有限公司24TC110IEC 62908-12-20:2019 ED1触摸和交互显示 第12-20部分:多点触摸性能测试方法Touch and interactive displays - Part 12-20: Measuring methods of touch displays...
(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。...
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