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FinFET和普通CMOS的区别 CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。...
国际电子器件会议小组会议期间,因特尔公司的高级研究员马克·波尔(Mark Bohr)表示,十年之后,将不可能进一步缩小硅晶体管的尺寸。波尔说:“我通常更倾向于新创意。”锗具备良好的电气性能,从而电路传输速度始终优于硅元素。但是,根据当前行业内所使用的生产技术,即互补金属氧化物半导体技术(CMOS)或互补金氧半导体技术,工程师们无法利用锗材料制出紧凑却节能的电路。...
在8英寸绝缘体上硅晶圆上制造硅纳米线FET传感器的增强型互补金属氧化物半导体兼容工艺。纳米线(30 nm)FET的能斯特极限亚阈值摆幅(SS)为60±1 mV /decade,变化率为1.7%,而SS的文献资料值为≥80mV /decade。与文献数据相比,制得的器件阈值电压变化显着降低(约3倍)。改进的FET显着降低了漏极电流迟滞(〜0.6 mV),并提高了导通电流与截止电流之比(〜106)。...
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