互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路, 您可以免费下载预览页
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虽然这类器件具有结构简单、速度快、功耗低、高存储容量和存内数据处理能力及与CMOS(互补金属氧化物半导体技术)工艺兼容等优点,但是大多数阻变介质的结构不均匀性通常会导致随机和高度局部的电阻开关特性,从而降低了实际应用中纳米级忆阻器的良率和可靠性。 ...
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