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第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。...
第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。...
这些电流产生的过程并不是由电子和空穴产生的光驱动的,而主要由半导体材料内的热能驱动[1]。暗电流通常很小,但当光电二极管处于反向偏置状态,且不被照射时就会存在。对于不同材料成分的光电二极管,暗电流大小也不同;热产生过程的效率取决于探测器传感头中所用半导体的类型和晶体质量。随着光电二极管温度的升高,以及施加给光电二极管的反向偏压升高,暗电流也会增大。...
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