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近藤效应来源于非磁金属中微量的磁性杂质散射。由于非磁性主体的传导电子与磁性杂质的局域磁矩相互作用,电阻率在低温下出现极小值。磁性杂质对电阻的贡献与温度成对数关系:Δρ = –clnT,其中T是温度,c是取决于主体金属及磁性杂质的种类和浓度的参数。当温度低于特征温度——近藤温度TK时,磁性杂质的自旋将被屏蔽,形成总自旋为零的多体单重态的基态,即Kondo单态。...
的高自旋ndq组态 4327.2.4 +3、+4、+5的锰离子,平行和垂直模式EPR 4337.2.5 含血红素的金属蛋白和金属酶 4347.3 金属团簇 4387.4 传导电子自旋共振,掺杂和缺陷 4417.4.1 固体的能带 4417.4.2 第IVA族硅和锗的掺杂 4447.4.3 III-V化合物的掺杂 4497.4.4 传导电子自旋共振,Dysonian谱型 4507.4.5 传导电子自旋共振的应用...
对于斯格明子的表征,常借助电学测量中的拓扑霍尔效应作为其存在的有力判据之一,但电学测量仅适用于金属体系。随着拓扑磁性材料的有效拓展,斯格明子领域迫切需要发展适用于更多体系的表征手段,如针对非金属体系斯格明子的表征。 2017年,科学家在实验中发现了二维铁磁材料CrI3和CrGeTe3。...
研究表明,所预测的SnO2相是p型磁性体系的又一重要例子,同时也说明所预测的SnO2二维相在纳米力学和低维自旋电子学方面具有应用前景。 研究工作得到国家自然科学基金和国家留学基金委的资助,相关计算在中科院超算中心合肥分中心完成。 图1.(a)二维单层δ-SnO2的晶体结构俯视图和侧视图;(b)x方向上的应变随施加在体系y方向上的拉伸应变的变化关系 图2....
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