ASTM E1162-87(1996)
二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)

被代替

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标准号

ASTM E1162-87(1996)

发布

1987年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM E1162-87(2001)

当前最新

ASTM E1162-11(2019)

 

 

适用范围

1.1 本实践涵盖了描述和报告仪器、样本参数、实验条件和数据缩减程序所需的信息。 SIMS 溅射深度剖面可以使用各种主束激发条件、质量分析、数据采集和处理技术来获得 (1-4)。
1.2 限制8212；这种做法仅限于传统的溅射深度剖面，其中信息是平均的样本平面上的分析区域。允许分析区域内二次离子横向空间分辨率的离子微探针或显微镜技术（例如图像深度分析）被排除在外。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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