ASTM F1212-89(2002)
砷化镓晶片热稳定性的试验方法

Standard Test Method for Thermal Stability Testing of Gallium Arsenide Wafers

作废

标准号

ASTM F1212-89(2002)

发布

1989年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F1212-89(2002)

 

 

引用标准

ASTM F76

适用范围

1.1 这种破坏性测试方法确定给定的半绝缘砷化镓 (GaAs) 样品在暴露于激活注入层通常所需的高温后是否仍保持半绝缘状态。
1.2 基本假设是其他 GaAs 晶圆（其制造历史与测试样品所用晶圆相同）将以类似方式响应高温。
1.3 本测试方法的重点是设备的简单性和安全性，以及确保测量结果独立于所使用的设备。
1.4 本测试方法直接适用于未盖帽和未注入的 GaAs 样品。然而，该测试方法的用户可以将其扩展到加帽或植入样品，或两者，在这种情况下，建议对加帽与未加帽样品或植入与未植入样品进行受控测试。
1.5 该测试方法检测“来自本体”（即来自 GaAs 晶圆内部）的杂质，这些杂质可能会影响晶圆表面上形成的器件的电气行为。该测试方法对表面杂质或过程引起的杂质不敏感，干扰除外（参见干扰）。 1.6

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