(a) 超薄氧化锌压电电子学晶体管的侧面示意图(b) 不同压强下超薄压电晶体管中载流子的输运特性(c) 压电电子学的原理(d) 超薄氧化锌压电电子学晶体管的电流实时测量图4 压力调控的OR逻辑电路(a-d) 单独施加一个力以及对应输出电流的状态(e-f) 同时施加两个力以及对应输出电流的状态【小结】研究团队成功制备了超短沟道的氧化锌压电电子学晶体管,首次证实了压电电子学效应在超短沟道中的有效性,为新型压电电子学晶体管的研究提供了思路...
基于ETH器件设计的可重构逻辑电路,不仅能够大幅节省晶体管资源,输出信号质量与工作频率也都可以与传统硅基技术相比拟。图2 由可调同质结器件构建的可重构逻辑电路。...
最后研究人员对这种非易失性铁电畴壁存储单元进行了运行稳定性测试(图2d),发现其开关电流比可达106,同时其稳定读写次数超过1010。紧接着,江安全团队利用类似的工艺过程,同样在单晶铌酸锂铁电薄膜上开发出了非易失性的场效应晶体管。场效应晶体管作为逻辑电路最重要的组成部件,其特征尺寸的小型化一直是过去几十年逻辑电路性能提升的主要推动力。...
基于ETH器件设计的可重构逻辑电路,不仅能够大幅节省晶体管资源,输出信号质量与工作频率也都可以与传统硅基技术相比拟。图2. 由可调同质结器件构建的可重构逻辑电路。...
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