BS EN 60749-38:2008
半导体器件.机械和气候试验方法.带存储器的半导体器件用软错误试验法
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 38: Soft error test method for semiconductor devices with memory
BS EN 60749-38:2008 发布历史
BS EN 60749-38:2008由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2008-06-30，并于 2008-06-30 实施。
BS EN 60749-38:2008 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
BS EN 60749-38:2008的历代版本如下：
- 2008年 BS EN 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.带存储器的半导体器件用软错误试验法
IEC 60749 的这一部分建立了测量带有存储器的半导体器件在受到 α 辐射等高能粒子影响时的软错误敏感性的程序。 描述了两个测试；使用阿尔法辐射源的加速测试和（非加速）实时系统测试，其中在自然发生的辐射（可以是阿尔法或其他辐射（例如中子））的条件下产生任何错误。 为了完全表征具有存储器的集成电路的软错误能力，必须使用额外的测试方法对设备进行广泛的高能谱和热中子测试。 该测试方法可以应用于任何类型的具有存储器件的集成电路。
