ASTM F1262M-95(2008)
数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南(米制单位)

Standard Guide for Transient Radiation Upset Threshold Testing of Digital Integrated Circuits (Metric)

被代替

ASTM F1262M-95(2008) 发布历史

ASTM F1262M-95(2008)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 1995。

ASTM F1262M-95(2008) 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路。

ASTM F1262M-95(2008)的历代版本如下：

• 2014年 ASTM F1262M-14 数字集成电路瞬态辐射不稳定阈值测试标准指南
• 1995年 ASTM F1262M-95(2008) 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南(米制单位)
• 1995年 ASTM F1262M-95(2002) 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南
• 1995年 ASTM F1262M-95 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南

数字逻辑电路用于暴露于辐射脉冲的系统应用中。了解可能引起瞬态故障的最小辐射水平非常重要，因为这会影响系统运行。

1.1 本指南旨在帮助实验人员测量暴露于大于103 戈瑞（硅）/秒。

1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

标准号

ASTM F1262M-95(2008)

发布

1995年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1262M-14

当前最新

ASTM F1262M-14