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近日,南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 ...
具体来说,RV16X-NANO是使用标准EDA工具设计的,并且只利用了与商用硅CMOS制造设施兼容的材料和工艺。总之,这些贡献构建起强大的CNT CMOS技术,并代表了超越硅的电子发展的一个重要里程碑。RV16X-NANO的架构和设计作者开发了一种可行的纳米晶体管技术,提供两种晶体管:p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)。...
具体来说,RV16X-NANO是使用标准EDA工具设计的,并且只利用了与商用硅CMOS制造设施兼容的材料和工艺。总之,这些贡献构建起强大的CNT CMOS技术,并代表了超越硅的电子发展的一个重要里程碑。RV16X-NANO的架构和设计作者开发了一种可行的纳米晶体管技术,提供两种晶体管:p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)。...
但是,由于寄生效应较大,实际制备的碳管集成电路工作频率较低(一般在兆赫兹以下,1MHz=106Hz),比硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的工作频率(千兆赫兹,即吉赫兹,1GHz=103MHz=109Hz)低几个数量级。在国际商业机器公司(IBM)研究人员2017年8月发表的基于碳管阵列的环形振荡器的研究工作中,振荡频率达282MHz,仍远远低于预期。...
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