WJ 2100-2004
硅光电二极管、硅雪崩光电二极管测试方法

Test method for silicon photodiodes and silicon avalanche photodiodes


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 WJ 2100-2004 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
WJ 2100-2004
发布
2004年
发布单位
行业标准-兵工民品
当前最新
WJ 2100-2004
 
 
被代替标准
WJ 2100-1992

WJ 2100-2004相似标准


推荐

PerkinElmer推出L3D微光探测解决方案平台

传感器 + 测试展会中推出的 L3D 的特点包括:   - 使用新的短波长增强型雪崩光电二极管 – PerkinElmer 的 是微光探测应用的理想选择。我们最新的大面积短波长增强型雪崩光电二极管专用于要求苛刻的分子成像和荧光检测应用。   - 千兆赫兹光子探测模块 (GPDM) – 适于微光条件下的分析和临床诊断应用。...

简介光电二极管的优缺点

  与光电倍增管的比较比光电倍增管更加优越的特性:  1.更好的线性  2.从190纳米到1100纳米()的响应光谱范围  3.低噪声  4.被加固以适应机械挤压  5.价格低廉  6.结实但自重较轻  7.使用寿命长  8.无需高压电源即可工作  缺点:  1.面积太小  2.没有内部增益(雪崩光电二极管除外,而且即使是雪崩光电二极管,其内部增益也通常只有102–103 ,远低于光电倍增管的108...

为什么使用PMT检测器和APD检测器

PMT结构和工作原理图   PMT检测器   光谱效应: 300 to 850nm   最大量子转换效率: 420nm处   雪崩光电二极管(APD):指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。...

为什么使用PMT检测器和APD检测器?

PMT结构和工作原理图PMT检测器光谱效应: 300 to 850nm最大量子转换效率: 420nm处雪崩光电二极管(APD):指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。...


WJ 2100-2004 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号