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美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN－军级、JANTX－特军级、JANTXV－超特军级、JANS－宇航级、（无）－非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1－二极管、2＝三极管、3－三个pn结器件、n－n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N－该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。...
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。...
从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
该技术的独特之处在在于半导体纳米线结构的形成，业界常用的器件中纳米线沟道是由硅材料制成的，使用自上而下的刻蚀工艺制备，其最小尺寸在10到20纳米之间，因此迫切的需要开发新型材料和结构进一步突破晶体管的尺寸限制。...
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