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为此将SRAM划分为3个独立的存储区,并将读写时隙分配如下:第1个时钟周期可往SRAM的存储1区写EPON上行协议帧,第2个时钟周期可往SRAM的存储2区写EPON下行协议帧,第3个时钟周期可往SRAM的存储3区写统计信息帧和配置确认帧,第4个时钟周期可从SRAM读出数据,从某一块存储区读出完整一帧后即切换到读另一块存储区。 ...
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