NP 3233/2-1985
电子元件．带金属外壳的单层和双层集成电路，详细的操作说明

Electronic component. Single and double layer integrated circuits with metal housing, detailed operating instructions


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 NP 3233/2-1985 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
NP 3233/2-1985
发布
1985年
发布单位
PT-IPQ
 
 

NP 3233/2-1985相似标准

NP 3232/1-1985 电子元件．带非金属外壳的单层和双层集成电路，中间点规格说明 NP 3665-1988 电子元件．中间点规格说明，带金属孔洞的单层以及双层集成电路 SJ/Z 9155.2-1987 石英晶体振荡器 第二部分：石英晶体振荡器使用指南 SJ 52440/1-1996 混合集成电路M型金属双列外壳详细规范 NP 2994/2-1985 电子元件．集成稳压器，详细的规格说明

推荐

详解石墨烯：为什么这么火？

这些优良品质促使石墨烯纳米带放在微腔或纳米腔体中形成激光器[64]和放大器。 根据2012年10月的一份研究表明有些研究者试着用石墨烯纳米带应用于光通信系统，发展石墨烯纳米带激光器。集成电路石墨烯具备作为优秀的集成电路电子器件的理想性质。石墨烯具有高的载流子迁移率（carrier mobility），以及低噪声，允许它被用作在场效应晶体管的通道。问题是单层的石墨烯制造困难，更难作出适当的基板。...

Rev.赏析：有机场效应晶体管中的界面工程：原理，应用和展望

平面双层结构（a）双层异质结的分子结构（b）具有不对称接触电极的双层双极OFET（c）用于弱外延生长（WEG）方法的分子（d）制备双层异质结的Langmuir-Blodgett（LB）方法（e,f）AFM图像显示了CuPc单层和在其上生长的50 nm厚F16CuPc膜的形态图24.远程有序单晶PN异质结（a）从溶液中制备垂直双层结构的液滴固定结晶（DPC）方法（b）AFM图像显示垂直堆叠的p-n结（...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号