为了进一步探究单栅和双栅结构之间的确切区别,在新的双栅器件的制备过程中,增加了一个中间步骤来测量单后栅结构的特性。这种经典的比较研究方法也被用于比较双门和单门WS2 FETs之间的通断行为。通过测量表明,双栅场效应晶体管与单后栅场效应晶体管相比,提高了约三分之一的导通电流,双栅场效应晶体管的SS被推到接近理论极限(10纳米每十年约78 mV, 20纳米每十年约63 mV)。...
图七、半导体层中的电势和电场(非理想)(a)改变半导体层中局部电场Ex和局部电势V(x)的因素;(b)用SKPM测量F8T2 OFETs的电势;(c)用SKPM测量F8T2 OFETs的电势;(d)用G-GFP测量238 K偏置栅极场效应晶体管中的电势和载流子浓度,证明了非线性n–VG关系。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号