二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号 1.极限参数和符号 （1） 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS （2） 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO （3） 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX （4） 击穿电压BVDS （5） 栅极电流IG （6） 最大漏电极耗散功率PD （7） 沟道温度TGH，存储温度TSTG 2.电气特性参数和符号 （1） 栅极漏电电流IGSS...
SiO2上的全部(实线)和沟道部分(虚线)的漏极电流密度-栅极电压特性曲线。...
三、【核心创新点】1.提出了一种掺杂钇诱导的与铟硒场效应晶体管进行欧姆接触的相变方法，并将铟硒场效应晶体管的沟道长度缩小到10 nm。2.InSe FETs可以有效抑制短通道效应，其低亚阈值摆动(SS)为每十年75 mV，漏极诱导的势垒降低(DIBL)为22 mV V−1。...
它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。 ...
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